Справочник MOSFET. HTD070N04

 

HTD070N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD070N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD070N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD070N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn hunteck
 htd070n04.pdf pdf_icon

HTD070N04

HTD070N04 P-140V N-Ch Power MOSFETFeature40 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness55 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part Nu

Другие MOSFET... HGW195N15S , HTA1K2P10 , HTB025N03 , HTD025N03 , HTD035N03 , HTD040N03 , HTD058N03R , HTD060N03 , TK10A60D , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 .

History: HUFA76423D3ST | DMNH10H028SK3 | IXFN102N30P | VBZL45N03 | VS3618AH | IRF7862PBF | FQI12N50TU

 

 
Back to Top

 


 
.