HTD2K1P10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD2K1P10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD2K1P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD2K1P10 даташит

 ..1. Size:577K  cn hunteck
 htd2k1p10.pdf pdf_icon

HTD2K1P10

HTD2K1P10 P-1 100V P-Ch Power MOSFET Feature -100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 182 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 190 RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -10 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252

 9.1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTD2K1P10

HTD2K4P15T , P-1 HTI2K4P15T 135V P-Ch Power MOSFET Feature -135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 200 RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability -12 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Drain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

Другие IGBT... HTD070N04, HTD080P03, HTD090N03, HTD140N03, HTD150P06, HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, CS150N03A8, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P