HTD2K1P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTD2K1P10
Маркировка: TD2K1P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 55 ns
Выходная емкость (Cd): 82 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.205 Ohm
Тип корпуса: TO-252
HTD2K1P10 Datasheet (PDF)
htd2k1p10.pdf
HTD2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level182RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness190RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252
htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf
HTD2K4P15T , P-1HTI2K4P15T135V P-Ch Power MOSFETFeature-135 VVDS High Speed Power Smooth Switching200RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability-12 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UT2955G | ELM323506A
