Справочник MOSFET. HTD2K1P10

 

HTD2K1P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD2K1P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD2K1P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD2K1P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  cn hunteck
 htd2k1p10.pdf pdf_icon

HTD2K1P10

HTD2K1P10 P-1100V P-Ch Power MOSFETFeature-100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level182RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness190RDS(on),typ VGS=-7V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-10 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252

 9.1. Size:1612K  cn hunteck
 htd2k4p15t hti2k4p15t.pdf pdf_icon

HTD2K1P10

HTD2K4P15T , P-1HTI2K4P15T135V P-Ch Power MOSFETFeature-135 VVDS High Speed Power Smooth Switching200RDS(on),typ VGS=-10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability-12 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power

Другие MOSFET... HTD070N04 , HTD080P03 , HTD090N03 , HTD140N03 , HTD150P06 , HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , IRLB4132 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P .

History: NP84N04DHE | 2SJ550S | MP15N60EIB | HM2809D | FQI9N15TU | SLB80R500SJ | 2SK4080-ZK-E2-AY

 

 
Back to Top

 


 
.