Справочник MOSFET. HTD360N10

 

HTD360N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD360N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD360N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD360N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  cn hunteck
 htd360n10.pdf pdf_icon

HTD360N10

HTD360N10 P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level32RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... HTD160P04 , HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , IRFZ24N , HTD410P06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 .

History: CS6N100P | YJL2302A | SQ2337ES | AP6901GSM-HF | AON7518 | MTP4411Q8 | 2SK346

 

 
Back to Top

 


 
.