HTD360N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD360N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD360N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD360N10 даташит

 ..1. Size:891K  cn hunteck
 htd360n10.pdf pdf_icon

HTD360N10

HTD360N10 P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 32 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 30 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial TO-252 Gate 2 Src 3 1 Part

Другие IGBT... HTD160P04, HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, TK10A60D, HTD410P06, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03