Справочник MOSFET. HTD360N10

 

HTD360N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD360N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD360N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  cn hunteck
 htd360n10.pdf pdf_icon

HTD360N10

HTD360N10 P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level32RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness30 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialTO-252Gate2Src31Part

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FQU3N60CTU | FDMC610P | IAUC100N10S5N040 | STU601S | NTD15N06L-001 | STB200NF04L | KF2N60L

 

 
Back to Top

 


 
.