HTD410P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTD410P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HTD410P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD410P06 даташит

 ..1. Size:580K  cn hunteck
 htd410p06.pdf pdf_icon

HTD410P06

HTD410P06 P-1 60V P-Ch Power MOSFET Feature -60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 34 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 44 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -26 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor TO-252 Dr

Другие IGBT... HTD1K5N10, HTD200P03, HTD2K1P10, HTD2K4P15T, HTI2K4P15T, HTD300N10, HTD350C04, HTD360N10, AO4407, HTD440P04, HTD480N06P, HTD600N06, HTD760P10T, HTD950P06, HTJ1K0P02, HTJ1K3P03, HTJ1K5P06