Справочник MOSFET. HTD410P06

 

HTD410P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD410P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD410P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  cn hunteck
 htd410p06.pdf pdf_icon

HTD410P06

HTD410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level34RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness44RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-26 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Dr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.