Справочник MOSFET. HTD410P06

 

HTD410P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTD410P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HTD410P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTD410P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  cn hunteck
 htd410p06.pdf pdf_icon

HTD410P06

HTD410P06 P-160V P-Ch Power MOSFETFeature-60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level34RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness44RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-26 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorTO-252Dr

Другие MOSFET... HTD1K5N10 , HTD200P03 , HTD2K1P10 , HTD2K4P15T , HTI2K4P15T , HTD300N10 , HTD350C04 , HTD360N10 , P60NF06 , HTD440P04 , HTD480N06P , HTD600N06 , HTD760P10T , HTD950P06 , HTJ1K0P02 , HTJ1K3P03 , HTJ1K5P06 .

History: SUD50P04-40P | RFG50N06 | HSU6004 | 2SK2148-01 | PMV37ENEA | SIHFI630G | ZXM62N03G

 

 
Back to Top

 


 
.