HTJ440P02E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTJ440P02E
Маркировка: 2E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.9 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 132 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HTJ440P02E
HTJ440P02E Datasheet (PDF)
htj440p02e.pdf
HTJ440P02E P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature37RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level55RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness65RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23Drain
htj440p02.pdf
HTJ440P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature37RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level55RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness65RDS(on),typ VGS=1.8V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainD
htj440p03.pdf
HTJ440P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature32RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level39RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=2.5V m Lead Free, Halogen Free-4 AID (Sillicon Limited)Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainD
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AFP3415
