HTJ500P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ500P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HTJ500P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ500P03 даташит

 ..1. Size:478K  cn hunteck
 htj500p03.pdf pdf_icon

HTJ500P03

HTJ500P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET -30 V VDS Feature 42 RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level 66 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness -4.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC Motor SOT-23 Drain D S Gate G Part Number Packa

 8.1. Size:915K  cn hunteck
 htj500n03.pdf pdf_icon

HTJ500P03

HTJ500N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 43 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 60 RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 3.5 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial S

Другие IGBT... HTJ270N03, HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, 8N60, HTJ600N06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P