HTJ500P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HTJ500P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.04 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для HTJ500P03
HTJ500P03 Datasheet (PDF)
htj500p03.pdf

HTJ500P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature42RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level66RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-4.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa
htj500n03.pdf

HTJ500N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level43RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness60RDS(on),typ VGS=2.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested3.5 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialS
Другие MOSFET... HTJ270N03 , HTJ300N02 , HTJ350N03 , HTJ440P02 , HTJ440P02E , HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , IRFB31N20D , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , HTM035N03 , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P .
History: MTN50N06E3 | P2206BEA | UPA2743T1A | AM7402N
History: MTN50N06E3 | P2206BEA | UPA2743T1A | AM7402N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855