HTJ600N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTJ600N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HTJ600N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTJ600N06 даташит

 ..1. Size:836K  cn hunteck
 htj600n06.pdf pdf_icon

HTJ600N06

HTJ600N06 P-1 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 50 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 3.5 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial SOT-23 Gate Src Part Number P

Другие IGBT... HTJ300N02, HTJ350N03, HTJ440P02, HTJ440P02E, HTJ440P03, HTJ450N02, HTJ500N03, HTJ500P03, P60NF06, HTJ650P02, HTJ850P03, HTL140N02, HTM035N03, HTM040N03, HTM040N03P, HTM058N03P, HTM060N03