Справочник MOSFET. HTM035N03

 

HTM035N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM035N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 381 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM035N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM035N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  cn hunteck
 htm035n03.pdf pdf_icon

HTM035N03

HTM035N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness37 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN3*3GateSrcPart Number Pa

Другие MOSFET... HTJ440P03 , HTJ450N02 , HTJ500N03 , HTJ500P03 , HTJ600N06 , HTJ650P02 , HTJ850P03 , HTL140N02 , IRFZ48N , HTM040N03 , HTM040N03P , HTM058N03P , HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 .

History: RSD201N10 | AO4443 | APT904RAN | NVMFD6H840NL | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.