Справочник MOSFET. HTM200N03

 

HTM200N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM200N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM200N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  cn hunteck
 htm200n03.pdf pdf_icon

HTM200N03

HTM200N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P

 8.1. Size:577K  cn hunteck
 htm200p03.pdf pdf_icon

HTM200N03

HTM200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-18 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MTP8N06 | HCS70R910ST | IXFH12N100 | PHU78NQ03LT | IRF3707SPBF | NCE2010E | FQD5N50TF

 

 
Back to Top

 


 
.