HTM200P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTM200P03

Маркировка: TM200P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20.3 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HTM200P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM200P03 даташит

 ..1. Size:577K  cn hunteck
 htm200p03.pdf pdf_icon

HTM200P03

HTM200P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 26 RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -18 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Hard Switching and High Speed Circuit DFN3x3 DC/DC in Telecoms and

 8.1. Size:893K  cn hunteck
 htm200n03.pdf pdf_icon

HTM200P03

HTM200N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 12 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DFN3x3 DC/DC in Telecoms and Inductrial Gate Src Part Number P

Другие IGBT... HTM060N03, HTM063P02, HTM095P02, HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, RU7088R, HTN019N03P, HTN020N03, HTN020N04P, HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P