Справочник MOSFET. HTM200P03

 

HTM200P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTM200P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HTM200P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTM200P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  cn hunteck
 htm200p03.pdf pdf_icon

HTM200P03

HTM200P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level17.5RDS(on),typ VGS=-10V m Enhanced Avalanche Ruggedness26RDS(on),typ VGS=-4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-18 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Hard Switching and High Speed CircuitDFN3x3 DC/DC in Telecoms and

 8.1. Size:893K  cn hunteck
 htm200n03.pdf pdf_icon

HTM200P03

HTM200N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit DrainDFN3x3 DC/DC in Telecoms and InductrialGateSrcPart Number P

Другие MOSFET... HTM060N03 , HTM063P02 , HTM095P02 , HTM105P03P , HTM120N03 , HTM120N03P , HTM150A02 , HTM200N03 , MMD60R360PRH , HTN019N03P , HTN020N03 , HTN020N04P , HTN021N03 , HTN027N03P , HTN027P02 , HTN030N03 , HTN035N04P .

History: AP02N60H-H | STP10NB20 | SM3040CSU4

 

 
Back to Top

 


 
.