HTN020N04P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTN020N04P

Маркировка: TN020N04P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 135 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 814 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для HTN020N04P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTN020N04P даташит

 ..1. Size:773K  cn hunteck
 htn020n04p.pdf pdf_icon

HTN020N04P

HTN020N04P P-1 40V N-Ch Power MOSFET 40 V VDS Feature 1.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 1.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 181 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Sync

 6.1. Size:917K  cn hunteck
 htn020n03.pdf pdf_icon

HTN020N04P

HTN020N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 100 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5x6 Gate Src Part Number P

 9.1. Size:918K  cn hunteck
 htn027n03p.pdf pdf_icon

HTN020N04P

HTN027N03P P-1 30V N-Ch Power MOSFET 30 V VDS Feature 2.9 RDS(on),max VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4 RDS(on),max VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 122 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Sw

 9.2. Size:871K  cn hunteck
 htn021n03.pdf pdf_icon

HTN020N04P

HTN021N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 1.8 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 100 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and Inductrial DFN5x6 Gate Src Part Number P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HTM105P03P, HTM120N03, HTM120N03P, HTM150A02, HTM200N03, HTM200P03, HTN019N03P, HTN020N03, AO4407A, HTN021N03, HTN027N03P, HTN027P02, HTN030N03, HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03