Справочник MOSFET. HTN036P03

 

HTN036P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTN036P03
   Маркировка: TN036P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 96.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 913 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HTN036P03

 

 

HTN036P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  cn hunteck
 htn036p03.pdf

HTN036P03 HTN036P03

HTN036P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-80 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Hard Switching and High Speed CircuitDFN5x6 DC/DC in Telecoms and Indu

 8.1. Size:1040K  cn hunteck
 htn036n03p.pdf

HTN036P03 HTN036P03

HTN036N03P P-130V N-Ch Power MOSFET30 VFeature VDS3.6 Optimized for high speed switching, Logic Level RDS(on),max VGS=10V mW5.4RDS(on),max VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchi

 9.1. Size:1310K  cn hunteck
 htn035n04p.pdf

HTN036P03 HTN036P03

HTN035N04P P-140V N-Ch Power MOSFET40 VFeature VDS3.2 Optimized for high speed switching RDS(on),typ VGS=10V mW7.4RDS(on),typ VGS=6V mW Enhanced Body diode dv/dt capability95 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Swi

 9.2. Size:914K  cn hunteck
 htn030n03.pdf

HTN036P03 HTN036P03

HTN030N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness75 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Hard Switching and High Speed Circuit Drain DC/DC in Telecoms and InductrialDFN5x6GateSrcPart Number Pa

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top