Справочник MOSFET. HTS060N03

 

HTS060N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS060N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS060N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS060N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hts060n03.pdf pdf_icon

HTS060N03

HTS060N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level4.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability6.4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Другие MOSFET... HTN035N04P , HTN036N03P , HTN036P03 , HTN070A03 , HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , IRF640 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T .

History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P

 

 
Back to Top

 


 
.