Справочник MOSFET. HTS060N03

 

HTS060N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS060N03
   Маркировка: TS060N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS060N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hts060n03.pdf pdf_icon

HTS060N03

HTS060N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level4.3RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability6.4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.