HTS060N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS060N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для HTS060N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS060N03 даташит

 ..1. Size:881K  cn hunteck
 hts060n03.pdf pdf_icon

HTS060N03

HTS060N03 P-1 30V N-Ch Power MOSFET Feature 30 V VDS High Speed Power Switching, logic level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 6.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circui

Другие IGBT... HTN035N04P, HTN036N03P, HTN036P03, HTN070A03, HTO350N03, HTO500P03, HTP2K1P10, HTS050N03, IRFP460, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, HTS140P03, HTS180P03T