HTS120N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTS120N03
Маркировка: TS120N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
HTS120N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:895K cn hunteck
hts120n03.pdf
hts120n03.pdf
HTS120N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
