Справочник MOSFET. HTS120N03

 

HTS120N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS120N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS120N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS120N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hts120n03.pdf pdf_icon

HTS120N03

HTS120N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

Другие MOSFET... HTO350N03 , HTO500P03 , HTP2K1P10 , HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , IRFP260N , HTS130N04 , HTS130P03Z , HTS140P03 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 .

History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.