Справочник MOSFET. HTS120N03

 

HTS120N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HTS120N03
   Маркировка: TS120N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 190 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для HTS120N03

 

 

HTS120N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hts120n03.pdf

HTS120N03 HTS120N03

HTS120N03 P-130V N-Ch Power MOSFETFeature30 VVDS High Speed Power Switching, logic level9.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability14.5RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness12 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top