HTS140P03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HTS140P03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HTS140P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS140P03 даташит

 ..1. Size:612K  cn hunteck
 hts140p03.pdf pdf_icon

HTS140P03

HTS140P03 P-1 30V P-Ch Power MOSFET Feature -30 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 12 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 17 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested -12 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Drain Application Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit SOIC-8 DC/DC in Telecoms an

Другие IGBT... HTS050N03, HTS060N03, HTS075P03, HTS085P03E, HTS110A03, HTS120N03, HTS130N04, HTS130P03Z, IRFZ44, HTS180P03T, HTS200N03, HTS200P03, HTS210C03, HTS220C04, HTS240B03, HTS280C03, HTS410P06