HTS140P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HTS140P03
Маркировка: TS140P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 342 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
HTS140P03 Datasheet (PDF)
hts140p03.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HTS140P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness17RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-12 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms an
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![HTS140P03](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HTS140P03](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HTS140P03](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU