Справочник MOSFET. HTS140P03

 

HTS140P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HTS140P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для HTS140P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HTS140P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  cn hunteck
 hts140p03.pdf pdf_icon

HTS140P03

HTS140P03 P-130V P-Ch Power MOSFETFeature-30 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level12RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness17RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested-12 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeDrainApplicationPin2 Hard Switching and High Speed CircuitSOIC-8 DC/DC in Telecoms an

Другие MOSFET... HTS050N03 , HTS060N03 , HTS075P03 , HTS085P03E , HTS110A03 , HTS120N03 , HTS130N04 , HTS130P03Z , 10N60 , HTS180P03T , HTS200N03 , HTS200P03 , HTS210C03 , HTS220C04 , HTS240B03 , HTS280C03 , HTS410P06 .

History: IPB60R160C6 | AOI600A60 | NCE60N1K0R | CPH3910 | NCE9926 | RJK03E0DNS

 

 
Back to Top

 


 
.