FDT3N40 - описание и поиск аналогов

 

FDT3N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDT3N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для FDT3N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT3N40 даташит

 ..1. Size:261K  fairchild semi
 fdt3n40.pdf pdf_icon

FDT3N40

November 2009 TM UniFET FDT3N40 400V N-Channel MOSFET Features Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:812K  fairchild semi
 fdt3n40tf.pdf pdf_icon

FDT3N40

April 2013 FDT3N40 N-Channel UniFETTM MOSFET 400 V, 2.0 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 3.7 pF) pr

Другие MOSFET... SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , FDT3612 , SDU04N65 , 50N06 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.