Справочник MOSFET. FDT3N40

 

FDT3N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDT3N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDT3N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  fairchild semi
 fdt3n40.pdf pdf_icon

FDT3N40

November 2009TMUniFETFDT3N40400V N-Channel MOSFETFeatures Description 2A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 4.5 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.7 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.1. Size:812K  fairchild semi
 fdt3n40tf.pdf pdf_icon

FDT3N40

April 2013FDT3N40N-Channel UniFETTM MOSFET400 V, 2.0 A, 3.4 Features Description RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 3.7 pF)pr

Другие MOSFET... SDU05N04 , FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , FDT3612 , SDU04N65 , 50N06 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ .

History: DMG301NU | IXFT20N100P | STP5NB40 | BRCS3404MA | STL80N75F6 | FDD9410F085 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.