SDU04N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDU04N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
SDU04N60 Datasheet (PDF)
sdu04n60 sdd04n60.pdf
GreenProduct SDU/D04N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN
sdu04n65 sdd04n65.pdf
GreenSDU/D04N65ProductSamHop Microelectronics corp.Ver 2.3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.650V 4A 2.5 @VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING IN
Другие MOSFET... FDS9945 , FDS9953A , FDS9958 , FDS9958F085 , FDSS2407 , FDT3612 , SDU04N65 , FDT3N40 , IRFP460 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , SDU02N60 , FDT86113LZ , SDU02N25 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918