Справочник MOSFET. SFP110N200C3

 

SFP110N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP110N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SFP110N200C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP110N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf pdf_icon

SFP110N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 ..2. Size:5135K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3.pdf pdf_icon

SFP110N200C3

SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on)9.1m Enhanced Avalanche RuggednessID 132AApplication 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... SFP085N165C3 , SFP085N68C2 , SFP085N75C2 , SFP085N80DC2 , SFP086N80CC2 , SFP090N120C2 , SFP090N80C2 , SFP098N200C3 , IRFZ24N , SFP120N120B , SFP120N80A , SFP133N150AC2 , SFP135N200C3 , SFP1800N650C2 , SFP210N200C3 , SFP350N100C2 , SFP60N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.