Справочник MOSFET. SFP110N200C3

 

SFP110N200C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFP110N200C3
   Маркировка: 110N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для SFP110N200C3

 

 

SFP110N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3 sfw107n200c3.pdf

SFP110N200C3 SFP110N200C3

SFP110N200C3,SFB107N200C3,SFW107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.4m, 132AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 9.4m DS(on) typ. Fast switchingI 132A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

 ..2. Size:5135K  cn scilicon
 sfp110n200c3 sfb107n200c3.pdf

SFP110N200C3 SFP110N200C3

SFP110N200C3, SFB107N200C3 N-MOSFET 200V, 9.1m, 132AFeatureProduct Summary High Speed Power Smooth SwitchingVDS200V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on)9.1m Enhanced Avalanche RuggednessID 132AApplication 100% DVDS Tested Synchronous Rectification in SMPS100% Avalanche Tested Hard Switching and High Speed Circuit100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDPF12N50T

 

 
Back to Top