Справочник MOSFET. SFP350N100C2

 

SFP350N100C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFP350N100C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SFP350N100C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn scilicon
 sfp60n100 sfb60n100 sfp350n100c2 sfb347n100c2.pdf pdf_icon

SFP350N100C2

SFP60N100,SFB60N100SFP350N100C2,SFB347N100C2N-MOSFET 100V, 30m, 36AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 30m Qualified according to JEDEC criteria ID36AApplications100% DVDS Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested Battery management UPS (Uninterrupible

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MMD80R1K2PRH | WMK18N50C4 | NTMFD5C650NLT1G | BRCS035N08SHZC | IRF2805SPBF | BSC037N08NS5T | IXTT360N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.