Справочник MOSFET. SFW025N100I3

 

SFW025N100I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW025N100I3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SFW025N100I3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW025N100I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1427K  cn scilicon
sfw025n100i3.pdfpdf_icon

SFW025N100I3

SFW025N100I3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100I3Package Marking and Ordering InformationPart # M

 4.1. Size:1437K  cn scilicon
sfw025n100c3.pdfpdf_icon

SFW025N100I3

SFW025N100C3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100C3Package Marking and Ordering InformationPart # M

 9.1. Size:2812K  cn scilicon
sfw024n100c3.pdfpdf_icon

SFW025N100I3

SFW024N100C3 N-MOSFET 100V, 2.0m, 210AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.0m DS(on) typ. Fast switchingI 210A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC

 9.2. Size:13679K  cn scilicon
sfw027n100c3.pdfpdf_icon

SFW025N100I3

SFW027N100C3 N-MOSFET 100V, 2.2m, 190AFeature Product Summary High Speed Power SwitchingVDS100V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 2.2m Enhanced Avalanche RuggednessID190A100% DVDS TestedApplication100% Avalanche Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and InductrialD

Другие MOSFET... SFQ020N100C3 , SFQ030N100C3 , SFQ030N80C2 , SFQ230N100 , SFT016N80C3 , SFT018N100C3 , SFW024N100C3 , SFW025N100C3 , AON6380 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , SFW095N200C3 , SFW097N200C3 .

History: 2SK430S | WMM08N60C4 | SI3403 | ME04N25-G | WMK26N60F2

 

 
Back to Top

 


 
.