SFW025N100I3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFW025N100I3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 416 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 147 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для SFW025N100I3
SFW025N100I3 Datasheet (PDF)
sfw025n100i3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW025N100I3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100I3Package Marking and Ordering InformationPart # M
sfw025n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW025N100C3N-MOSFET 100V, 2.3m, 190AFeaturesProduct Summary Enhancement ModeVDS100V Very Low On-ResistanceRDS(on) typ. 2.3m Fast SwitchingID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and driveDC/DC Converter General Purpose ApplicationsDGSSFW025N100C3Package Marking and Ordering InformationPart # M
sfw024n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW024N100C3 N-MOSFET 100V, 2.0m, 210AFeatures Product Summary Low on resistanceV 100V DS Low gate chargeR 2.0m DS(on) typ. Fast switchingI 210A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC
sfw027n100c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SFW027N100C3 N-MOSFET 100V, 2.2m, 190AFeature Product Summary High Speed Power SwitchingVDS100V Enhanced Body diode dv/dt capabilityRDS(on) typ. 2.2m Enhanced Avalanche RuggednessID190A100% DVDS TestedApplication100% Avalanche Tested Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms and InductrialD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .