Справочник MOSFET. SFW095N200C3

 

SFW095N200C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW095N200C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 337 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 462 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для SFW095N200C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW095N200C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  cn scilicon
 sfw095n200c3.pdf pdf_icon

SFW095N200C3

SFW095N200C3 N-MOSFET 200V, 7.9m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 7.9m DS(on)typ Fast switchingI 135A D(silicon limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems Battery Management DC/D

 9.1. Size:1237K  cn scilicon
 sfp098n200c3 sfb096n200c3 sfw097n200c3.pdf pdf_icon

SFW095N200C3

SFP098N200C3,SFB096N200C3,SFW097N200C3 N-MOSFET 200V, 8.5m, 135AFeatures Product Summary Low on resistanceV 200V DS Low gate chargeR 8.5m DS(on) typ. Fast switchingI 135A D(Silicon Limited) High avalanche current Low reverse transfer capacitances100% DVDS Tested Application 100% Avalanche Tested Brushed and BLDC Motor drive systems

Другие MOSFET... SFW025N100C3 , SFW025N100I3 , SFW027N100C3 , SFW031N100C3 , SFW042N100C3 , SFW043N150C3 , SFW072N150C2 , SFW082N165C3 , IRFZ48N , SFW097N200C3 , SFW107N200C3 , SFW132N200I3 , SFW1800N650C2 , SFW280N600BC4 , SFW280N600C4 , SLC500MM10SCT2 , SLC500MM15SHN2 .

History: FTK4459 | FS16SM-6 | HM2309C | MT06N020AL | SFS08R08DF | IRF6727M | WMM36N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.