Справочник MOSFET. SLC500MM15SHN2

 

SLC500MM15SHN2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLC500MM15SHN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 955 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLC500MM15SHN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:717K  cn scilicon
 slc500mm15shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM15SHN2

SLC500MM15SHN2150V NMOSFET500AAutomotive 150 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=150VID nom=500ARDS(ON) typ=1.2m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

 5.1. Size:735K  cn scilicon
 slc500mm10sct2.pdf pdf_icon

SLC500MM15SHN2

SLC500MM10SCT2100V NMOSFET500AAutomotive 100 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=100VID nom=500ARDS(ON) typ=1.05m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling Ap

 6.1. Size:810K  cn scilicon
 slc500mm20shn2.pdf pdf_icon

SLC500MM15SHN2

SLC500MM20SHN2200V NMOSFET500AAutomotive 200 V N-Channel MOSFET,500A Half-Bridge Power Module.VDSS=200VID nom=500ARDS(ON) typ=2.5m Features Low Rdson High current density High Ruggedness HalfbridgeEasy paralleling App

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCEP025N12LL | BUZ40B | IRC330 | R6524KNX | SIHFR210 | FDB8441F085 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.