Справочник MOSFET. JCS110N07I

 

JCS110N07I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS110N07I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
   Время нарастания (tr): 87 ns
   Выходная емкость (Cd): 500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для JCS110N07I

 

 

JCS110N07I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  jilin sino
jcs110n07i.pdf

JCS110N07I
JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

 5.1. Size:502K  jilin sino
jcs110n07.pdf

JCS110N07I
JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 9.1. Size:1513K  jilin sino
jcs11n90wt jcs11n90abt.pdf

JCS110N07I
JCS110N07I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS11N90T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson-max1.10 Vgs=10V Qg-typ 66nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top