JCS110N07I - описание и поиск аналогов

 

JCS110N07I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS110N07I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS110N07I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS110N07I даташит

 ..1. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

 5.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 9.1. Size:1513K  jilin sino
 jcs11n90wt jcs11n90abt.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N R N-CHANNEL MOSFET JCS11N90T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson-max 1.10 Vgs=10V Qg-typ 66nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S , JCS10N80FC , JCS10N80GDC , 20N60 , JCS11N90ABT , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC , JCS13AN50CC .

History: SI2302CDS-T1-GE3 | 2SK3575-Z | WMP08N80M3 | SM7307DSKP | STD3NK60ZT4 | SM6012NSUC | SSW7N60B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.