Справочник MOSFET. JCS110N07I

 

JCS110N07I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS110N07I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JCS110N07I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS110N07I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  jilin sino
 jcs110n07i.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 110A VDSS 70V Rdson-max - 8m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

 5.1. Size:502K  jilin sino
 jcs110n07.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I Package MAIN CHARACTERISTICS 110A I D 70V VDSS Rdson-max 8m - (@Vgs=10V 72nC Qg-typ APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Aut

 9.1. Size:1513K  jilin sino
 jcs11n90wt jcs11n90abt.pdf pdf_icon

JCS110N07I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS11N90T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11 A VDSS 900 V Rdson-max1.10 Vgs=10V Qg-typ 66nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S , JCS10N80FC , JCS10N80GDC , 20N60 , JCS11N90ABT , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC , JCS13AN50CC .

History: SVG105R4NKL | CHT2302WGP | SPC10N80G | BRF65R380C | TJ20S04M3L | SWP066R72E7T | IRFP9132

 

 
Back to Top

 


 
.