JCS13AN50SC - описание и поиск аналогов

 

JCS13AN50SC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS13AN50SC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 203 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JCS13AN50SC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS13AN50SC даташит

 ..1. Size:1649K  jilin sino
 jcs13an50bc jcs13an50sc jcs13an50cc jcs13an50fc.pdf pdf_icon

JCS13AN50SC

 9.1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13AN50SC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 9.2. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

JCS13AN50SC

 9.3. Size:1016K  jilin sino
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13AN50SC

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC , JCS13AN50CC , JCS13AN50FC , IRF640N , JCS13N90ABA , JCS13N90WA , JCS1404S , JCS15N65BEI , JCS15N65CEI , JCS15N65FEI , JCS15N65SEI , JCS15N70FC .

History: 2SK2313

 

 

 

 

↑ Back to Top
.