JCS20N65FEI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS20N65FEI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JCS20N65FEI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS20N65FEI даташит

 ..1. Size:806K  jilin sino
 jcs20n65fei.pdf pdf_icon

JCS20N65FEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650V Rdson-max 0.42 Vgs=10V Qg-Typ 64.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

 5.1. Size:826K  jilin sino
 jcs20n65fh jcs20n65wh.pdf pdf_icon

JCS20N65FEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N65H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.5 @Vgs=10V Qg-typ 45nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:1458K  jilin sino
 jcs20n60wh.pdf pdf_icon

JCS20N65FEI

 7.2. Size:1215K  jilin sino
 jcs20n60fh.pdf pdf_icon

JCS20N65FEI

N R N-CHANNEL MOSFET JCS20N60FH Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 600V Rdson-max 0.39 Vgs=10V Qg-Typ 50nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS18N25VC, JCS18N50ABE, JCS18N50BE, JCS18N50CE, JCS18N50FE, JCS18N50SE, JCS18N50WE, JCS20N60WH, K3569, JCS22N50ABC, JCS22N50FC, JCS22N50WC, JCS2N60N, JCS2N65FC, JCS2N70R, JCS2N70V, JCS2N95RA