JCS2N60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS2N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 139 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для JCS2N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS2N60N даташит

 ..1. Size:975K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60n jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N60N

 7.1. Size:1199K  jilin sino
 jcs2n60.pdf pdf_icon

JCS2N60N

 7.2. Size:1813K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N60N

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 7.3. Size:1742K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N60N

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS18N50FE, JCS18N50SE, JCS18N50WE, JCS20N60WH, JCS20N65FEI, JCS22N50ABC, JCS22N50FC, JCS22N50WC, SKD502T, JCS2N65FC, JCS2N70R, JCS2N70V, JCS2N95RA, JCS2N95VA, JCS33N25CT, JCS3N80B, JCS3N80C