JCS2N70R datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS2N70R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS2N70R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для JCS2N70R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS2N70R даташит

..1. Size:1933K jilin sino
jcs2n70v jcs2n70r 2n70nl.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 700 V Rdson-max 6.5 Vgs=10V Qg-typ 10.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

0.1. Size:2231K jilin sino
jcs2n70mfh jcs2n70vh jcs2n70rh jcs2n70ch jcs2n70fh.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N70H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 700 V Rdson-max 6.5 Vgs=10V Qg-typ 8.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

9.1. Size:1199K jilin sino
jcs2n60.pdf pdf_icon

9.2. Size:1813K jilin sino
jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c