Справочник MOSFET. JCS3N80B

 

JCS3N80B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS3N80B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.62 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для JCS3N80B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS3N80B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2081K  jilin sino
 jcs3n80v jcs3n80r jcs3n80b jcs3n80s jcs3n80c jcs3n80f jcs3n80v.pdf pdf_icon

JCS3N80B

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... JCS22N50WC , JCS2N60N , JCS2N65FC , JCS2N70R , JCS2N70V , JCS2N95RA , JCS2N95VA , JCS33N25CT , AON7506 , JCS3N80C , JCS3N80F , JCS3N80R , JCS3N80S , JCS3N80V , JCS40N25ANT , JCS40N25FC , JCS40N25SC .

History: CJL2016 | 2SK1431 | IPA50R190CE

 

 
Back to Top

 


 
.