JCS640SH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS640SH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JCS640SH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640SH даташит

 ..1. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640SH

 7.1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640SH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640SH

Другие IGBT... JCS5AN50F, JCS5AN50R, JCS5AN50V, JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, P60NF06, JCS6AN135ABA, JCS6AN135WA, JCS6AN70F, JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA