Справочник MOSFET. JCS640SH

 

JCS640SH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS640SH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JCS640SH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640SH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640SH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 7.1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640SH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640SH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS5AN50F , JCS5AN50R , JCS5AN50V , JCS60N10I , JCS620CT , JCS620FT , JCS620RT , JCS620VT , AO3401 , JCS6AN135ABA , JCS6AN135WA , JCS6AN70F , JCS6AN70R , JCS6AN70V , JCS6N70VC , JCS6N90BA , JCS6N90CA .

History: HSS3400A | SSM4500GM

 

 
Back to Top

 


 
.