JCS6AN135ABA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS6AN135ABA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 498 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS6AN135ABA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS6AN135ABA даташит

 ..1. Size:1043K  jilin sino
 jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf pdf_icon

JCS6AN135ABA

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V Rdson Vgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies

 8.1. Size:1142K  jilin sino
 jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf pdf_icon

JCS6AN135ABA

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие IGBT... JCS5AN50R, JCS5AN50V, JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, JCS640SH, 75N75, JCS6AN135WA, JCS6AN70F, JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA, JCS6N90FA