JCS6AN70V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS6AN70V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS6AN70V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS6AN70V даташит

 ..1. Size:1142K  jilin sino
 jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf pdf_icon

JCS6AN70V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 8.1. Size:1043K  jilin sino
 jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf pdf_icon

JCS6AN70V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V Rdson Vgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies

Другие IGBT... JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, JCS640SH, JCS6AN135ABA, JCS6AN135WA, JCS6AN70F, JCS6AN70R, IRF1405, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA, JCS6N90FA, JCS6N90GDA, JCS6N90SA, JCS70N30ABC, JCS70N30WC