JCS6AN70V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JCS6AN70V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для JCS6AN70V
JCS6AN70V Datasheet (PDF)
jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V RdsonVgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies
Другие MOSFET... JCS620FT , JCS620RT , JCS620VT , JCS640SH , JCS6AN135ABA , JCS6AN135WA , JCS6AN70F , JCS6AN70R , NCEP15T14 , JCS6N70VC , JCS6N90BA , JCS6N90CA , JCS6N90FA , JCS6N90GDA , JCS6N90SA , JCS70N30ABC , JCS70N30WC .
History: HGB320N20S | RSD221N06FRA | NCE65NF099T | MP10N60EIF
History: HGB320N20S | RSD221N06FRA | NCE65NF099T | MP10N60EIF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet