JCS70N30WC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS70N30WC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 446 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 115.1 nC
Время нарастания (tr): 227.2 ns
Выходная емкость (Cd): 963 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для JCS70N30WC
JCS70N30WC Datasheet (PDF)
..1. Size:911K jilin sino
jcs70n30wc jcs70n30abc.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
jcs70n30wc jcs70n30abc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N RN-CHANNEL MOSFET JCS70N30C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 70 A VDSS 300 V RdsonVgs=10V 40m -MAX Qg-Typ 115.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .