JCS7N65FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N65FE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JCS7N65FE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7N65FE даташит

 ..1. Size:2018K  jilin sino
 jcs7n65ve jcs7n65re jcs7n65ce jcs7n65se jcs7n65be jcs7n65fe.pdf pdf_icon

JCS7N65FE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max 1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 6.1. Size:757K  jilin sino
 jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf pdf_icon

JCS7N65FE

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N65FE

 8.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N65FE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS70N30ABC, JCS70N30WC, JCS7N120ABA, JCS7N120WA, JCS7N60R, JCS7N60V, JCS7N65BE, JCS7N65CE, 60N06, JCS7N65RE, JCS7N65SE, JCS7N65VE, JCS7N70B, JCS7N70C, JCS7N70F, JCS7N70FE, JCS7N70R