JCS86N25ABT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS86N25ABT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 788 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 734 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS86N25ABT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS86N25ABT даташит

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf pdf_icon

JCS86N25ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V Rdson Vgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli

Другие IGBT... JCS7N70V, JCS7N80FC, JCS7N95ABA, JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, JCS80N10I, IRF640N, JCS86N25GCT, JCS86N25WT, JCS90N10I, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC, JCS9N95CA