Справочник MOSFET. JCS90N10I

 

JCS90N10I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS90N10I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JCS90N10I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS90N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  jilin sino
 jcs90n10i.pdf pdf_icon

JCS90N10I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS90N10I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 90A VDSS 100V Rdson-typ - 7.0m (@Vgs=10V Qg-typ 98nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

Другие MOSFET... JCS7N95CA , JCS7N95FA , JCS7N95SA , JCS80N08I , JCS80N10I , JCS86N25ABT , JCS86N25GCT , JCS86N25WT , AON6414A , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , MC08N005C .

History: RFP15N12 | HGB012NE6A | LND10R040W3 | 2SK2016 | OSG80R600FF | AP4451GYT-HF | PA010BV

 

 
Back to Top

 


 
.