JCS90N10I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS90N10I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS90N10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS90N10I даташит

 ..1. Size:668K  jilin sino
 jcs90n10i.pdf pdf_icon

JCS90N10I

N R N-CHANNEL MOSFET JCS90N10I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 90A VDSS 100V Rdson-typ - 7.0m (@Vgs=10V Qg-typ 98nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

Другие IGBT... JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, JCS80N10I, JCS86N25ABT, JCS86N25GCT, JCS86N25WT, IRFB4227, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC, JCS9N95CA, JCS9N95FA, JCS9N95WA, MC08N005C