MC08N005R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MC08N005R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MC08N005R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MC08N005R даташит

 ..1. Size:3314K  jilin sino
 mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf pdf_icon

MC08N005R

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D

Другие IGBT... JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC, JCS9N95CA, JCS9N95FA, JCS9N95WA, MC08N005C, IRFP250N, MC08N005S, MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, MC11N005, MG065R060