Справочник MOSFET. MP18N50EIC

 

MP18N50EIC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP18N50EIC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 83.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MP18N50EIC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP18N50EIC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  jilin sino
mp18n50eif mp18n50eic.pdfpdf_icon

MP18N50EIC

N N- CHANNEL MOSFET RMP18N50EI MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 67.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 9.1. Size:591K  trinnotech
tmp18n20z tmpf18n20z.pdfpdf_icon

MP18N50EIC

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 9.2. Size:708K  way-on
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdfpdf_icon

MP18N50EIC

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

 9.3. Size:708K  way-on
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdfpdf_icon

MP18N50EIC

WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

Другие MOSFET... MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB , MP15N60EIC , MP15N60EIF , MP15N60EIS , 4435 , MP18N50EIF , MP20N60EI , MP2N60ER , MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF .

History: SI4409DY | HM2309C | IRFP9132 | UT30P03 | IRFPC40R | 8N80G-TA3-T | NTMFS4933NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.