Справочник MOSFET. MP18N50EIC

 

MP18N50EIC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MP18N50EIC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 273 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 67.8 nC
   Время нарастания (tr): 83.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 283 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MP18N50EIC

 

 

MP18N50EIC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:910K  jilin sino
mp18n50eif mp18n50eic.pdf

MP18N50EIC
MP18N50EIC

N N- CHANNEL MOSFET RMP18N50EI MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 67.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 9.1. Size:591K  trinnotech
tmp18n20z tmpf18n20z.pdf

MP18N50EIC
MP18N50EIC

TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 18A

 9.2. Size:708K  way-on
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf

MP18N50EIC
MP18N50EIC

WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

 9.3. Size:708K  way-on
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf

MP18N50EIC
MP18N50EIC

WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top