MP7AN65EC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MP7AN65EC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30.2 ns
Выходная емкость (Cd): 92 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO220
MP7AN65EC Datasheet (PDF)
..1. Size:1720K jilin sino
mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N RN-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .