MP7AN65EV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP7AN65EV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для MP7AN65EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP7AN65EV даташит

 ..1. Size:1720K  jilin sino
 mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf pdf_icon

MP7AN65EV

N R N-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

Другие IGBT... MP20N60EI, MP2N60ER, MP4N150, MP4N50FR, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, TK10A60D, MP88N25C, MP9N150, MS65R120C, MS65R120F, MS65R120GE, MS65R120S, MS65R135R, MS65R170B