Справочник MOSFET. MP7AN65EV

 

MP7AN65EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP7AN65EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для MP7AN65EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP7AN65EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1720K  jilin sino
 mp7an65ev mp7an65er mp7an65ec mp7an65ef.pdf pdf_icon

MP7AN65EV

N RN-CHANNEL MOSFET MP7AN65E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650V Rdson-max 1.25 Vgs=10V Qg-Typ 20nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

Другие MOSFET... MP20N60EI , MP2N60ER , MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER , IRFZ24N , MP88N25C , MP9N150 , MS65R120C , MS65R120F , MS65R120GE , MS65R120S , MS65R135R , MS65R170B .

History: AON7532E | SSM4500GM | SI2301CDS | HSS3400A | NVD5117PL | DH60N06

 

 
Back to Top

 


 
.