MS65R620RR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS65R620RR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для MS65R620RR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS65R620RR даташит

 ..1. Size:887K  jilin sino
 ms65r620rf ms65r620rr.pdf pdf_icon

MS65R620RR

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R620R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 620m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:863K  jilin sino
 ms65r600f ms65r600r.pdf pdf_icon

MS65R620RR

 9.1. Size:994K  jilin sino
 ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf pdf_icon

MS65R620RR

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.2. Size:1099K  jilin sino
 ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf pdf_icon

MS65R620RR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MS65R360C, MS65R360F, MS65R360R, MS65R400RF, MS65R400RR, MS65R600F, MS65R600R, MS65R620RF, IRFB31N20D, MT03N03FAL, MT04N004B, MT04N005AL, MT06N005A, MT06N020A, MT06N020AL, MT20N024A, MT28N20A