Справочник MOSFET. NCE0157G

 

NCE0157G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0157G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для NCE0157G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0157G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:701K  ncepower
 nce0157g.pdf pdf_icon

NCE0157G

http://www.ncepower.comNCE0157GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157G uses advanced trench technology and designGeneral Featuresto provide excellent R with low gate charge. It can be V =100V,I =57ADS(ON) DS Dused in a wide variety of applications. R

 7.1. Size:374K  ncepower
 nce0157.pdf pdf_icon

NCE0157G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0157NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0157 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 7.2. Size:631K  ncepower
 nce0157a2d.pdf pdf_icon

NCE0157G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2D uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

 7.3. Size:655K  ncepower
 nce0157a.pdf pdf_icon

NCE0157G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE0157A2NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0157A2 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 100V,I =57ADS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE011N30GU , NCE0130GA , NCE0140AK2 , NCE0140I2 , NCE0140IA , NCE0157A , NCE0157A2D , NCE0157AK , 10N60 , NCE0159 , NCE0160AG , NCE0160G , NCE01H13D , NCE01NP03S , NCE01P05S , NCE01P13 , NCE01P13I .

History: CEM9926

 

 
Back to Top

 


 
.