NCE0205IA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0205IA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для NCE0205IA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0205IA даташит

 ..1. Size:305K  ncepower
 nce0205ia.pdf pdf_icon

NCE0205IA

http //www.ncepower.com NCE0205IA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0205IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS = 200V,ID =5A RDS(ON)

 8.1. Size:287K  ncepower
 nce0202za.pdf pdf_icon

NCE0205IA

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0202ZA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE0202ZA uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS = 200V,ID =2A RDS(ON)

 8.2. Size:322K  ncepower
 nce0208ia.pdf pdf_icon

NCE0205IA

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0208IA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0208IA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 8.3. Size:433K  ncepower
 nce0208ka.pdf pdf_icon

NCE0205IA

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0208KA NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0208KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE01P18, NCE01P18L, NCE01P30D, NCE01P30I, NCE01P30K, NCE01P30L, NCE01P35K, NCE0203S, 2N7002, NCE0208IA, NCE0224A, NCE0224AF, NCE0224AK, NCE0224DA, NCE0224F, NCE0250D, NCE0260P