NCE0224A - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE0224A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE0224A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCE0224A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0224A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  ncepower
nce0224a.pdfpdf_icon

NCE0224A

Pb Free ProductNCE0224Ahttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 0.1. Size:314K  ncepower
nce0224af.pdfpdf_icon

NCE0224A

Pb Free ProductNCE0224AFhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 0.2. Size:389K  ncepower
nce0224ak.pdfpdf_icon

NCE0224A

Pb Free ProductNCE0224AKhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 7.1. Size:326K  ncepower
nce0224f.pdfpdf_icon

NCE0224A

http://www.ncepower.com NCE0224FNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224F uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE01P30D , NCE01P30I , NCE01P30K , NCE01P30L , NCE01P35K , NCE0203S , NCE0205IA , NCE0208IA , IRF4905 , NCE0224AF , NCE0224AK , NCE0224DA , NCE0224F , NCE0250D , NCE0260P , NCE0260T , NCE0270T .

History: 2SK1335L | LSC65R180GT | MTW10N40E | HY1904C2 | WMB014N04LG4 | WMK4N65D1B | TTG160N03GT

 

 
Back to Top

 


 
.