Справочник MOSFET. NCE15P25

 

NCE15P25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE15P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCE15P25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE15P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  ncepower
 nce15p25.pdf pdf_icon

NCE15P25

http://www.ncepower.com NCE15P25 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS DRDS(ON)

 0.1. Size:532K  ncepower
 nce15p25j.pdf pdf_icon

NCE15P25

http://www.ncepower.com NCE15P25J NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25J uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS DRDS(ON)

 0.2. Size:527K  ncepower
 nce15p25i.pdf pdf_icon

NCE15P25

http://www.ncepower.com NCE15P25I NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A DS DSchematic diagram RDS(ON)

 0.3. Size:517K  ncepower
 nce15p25jk.pdf pdf_icon

NCE15P25

NCE15P25JK http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE15P25JK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =-150V,I =-25A Schematic diagram DS DRDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE1520K , NCE1520KA , NCE1540AD , NCE1540AF , NCE1540KA , NCE1550F , NCE15H10 , NCE15H10A , IRFZ46N , NCE15P25I , NCE15P25J , NCE15P25JI , NCE15P25JK , NCE15P30 , NCE15P30K , NCE1608N , NCE16P07J .

History: OSG55R108HZF | DMT3006LPS-13 | NTB75N03R | FQPF17P10 | 2N7394 | IRLHS6242 | STP19NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.