Справочник MOSFET. NCE1826K

 

NCE1826K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE1826K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 185 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NCE1826K

 

 

NCE1826K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  ncepower
 nce1826k.pdf

NCE1826K NCE1826K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1826KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1826K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

 9.1. Size:384K  ncepower
 nce1810ak.pdf

NCE1826K NCE1826K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1810AKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1810AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =180V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON)

 9.2. Size:331K  ncepower
 nce1805s.pdf

NCE1826K NCE1826K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE1805SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1805S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =185V,ID =5A RDS(ON)

 9.3. Size:295K  ncepower
 nce18nd11u.pdf

NCE1826K NCE1826K

NCE18ND11Uhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE18ND11U uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =18V,ID =11A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top