Справочник MOSFET. FQA160N08

 

FQA160N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA160N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 160 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA160N08

 

 

FQA160N08 Datasheet (PDF)

1.1. fqa160n08.pdf Size:781K _fairchild_semi

FQA160N08
FQA160N08

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA160N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 160A, 80V, RDS(on) = 0.007? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 530 pF) This advanced technology has been especial

Другие MOSFET... SDF08N50 , FQA11N90_F109 , FQA11N90C_F109 , FQA13N50CF , FQA13N80_F109 , SDF07N80 , FQA140N10 , SDF07N65 , IRF5305 , FQA170N06 , FQA19N60 , SDF07N50T , FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 .

Back to Top

 


FQA160N08
  FQA160N08
  FQA160N08
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: FQA22P10 | FQA20N40 | FQA19N20L | FQA17P10 | FQA17N40 | FQA16N50 | FQA16N25C | FQA14N30 | FQA13N80 | FQA13N50C | FQA13N50 | FQA12P20 | FQA12N60 | FQA11N90C | FQA11N90 |
 


 

 

Back to Top