Справочник MOSFET. NCE3050I

 

NCE3050I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE3050I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для NCE3050I

 

 

NCE3050I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  ncepower
 nce3050i.pdf

NCE3050I NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.1. Size:372K  ncepower
 nce3050ka.pdf

NCE3050I NCE3050I

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.2. Size:336K  ncepower
 nce3050.pdf

NCE3050I NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.3. Size:399K  ncepower
 nce3050k.pdf

NCE3050I NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top