NCE3050I - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE3050I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE3050I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для NCE3050I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3050I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  ncepower
 nce3050i.pdf pdf_icon

NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.1. Size:372K  ncepower
 nce3050ka.pdf pdf_icon

NCE3050I

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.2. Size:336K  ncepower
 nce3050.pdf pdf_icon

NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.3. Size:399K  ncepower
 nce3050k.pdf pdf_icon

NCE3050I

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3009S , NCE3013J , NCE3015S , NCE3025G , NCE3030K , NCE3030Q , NCE3040Q , NCE3045G , IRFB4110 , NCE3050KA , NCE3055 , NCE3065G , NCE3065Q , NCE3080I , NCE3080L , NCE3085K , NCE30H10BG .

History: NTMFS4833NA | HSBB2627

 

 
Back to Top

 


 
.