Справочник MOSFET. NCE3050KA

 

NCE3050KA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3050KA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для NCE3050KA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3050KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  ncepower
 nce3050ka.pdf pdf_icon

NCE3050KA

Pb Free ProductNCE3050KAhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 6.1. Size:399K  ncepower
 nce3050k.pdf pdf_icon

NCE3050KA

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.1. Size:336K  ncepower
 nce3050.pdf pdf_icon

NCE3050KA

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

 7.2. Size:311K  ncepower
 nce3050i.pdf pdf_icon

NCE3050KA

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3050INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3050I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =50A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3013J , NCE3015S , NCE3025G , NCE3030K , NCE3030Q , NCE3040Q , NCE3045G , NCE3050I , IRFP250N , NCE3055 , NCE3065G , NCE3065Q , NCE3080I , NCE3080L , NCE3085K , NCE30H10BG , NCE30H10G .

 

 
Back to Top

 


 
.