NCE3065Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3065Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для NCE3065Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3065Q даташит

 ..1. Size:723K  ncepower
 nce3065q.pdf pdf_icon

NCE3065Q

http //www.ncepower.com NCE3065Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065Q uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent R with low gate charge. It can be V =30V,I =65A DS(ON) DS D used in a wide variety of applications. R =4.2m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =6.7m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS DC/

 7.1. Size:664K  ncepower
 nce3065g.pdf pdf_icon

NCE3065Q

http //www.ncepower.com NCE3065G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent R with low gate charge. It can be V =30V,I =65A DS(ON) DS D used in a wide variety of applications. R =5.7m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =7.7m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS DC/

 7.2. Size:429K  ncepower
 nce3065k.pdf pdf_icon

NCE3065Q

http //www.ncepower.com NCE3065K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =65A RDS(ON)

 8.1. Size:833K  ncepower
 nce3068q.pdf pdf_icon

NCE3065Q

http //www.ncepower.com NCE3068Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3068Q uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent R with low gate charge. It can be V =30V,I =68A DS(ON) DS D used in a wide variety of applications. R =3.5m (max) @ V =10V DS(ON) GS R =6.2m (max) @ V =4.5V Application DS(ON) GS DC/DC Conve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3030K, NCE3030Q, NCE3040Q, NCE3045G, NCE3050I, NCE3050KA, NCE3055, NCE3065G, 8205A, NCE3080I, NCE3080L, NCE3085K, NCE30H10BG, NCE30H10G, NCE30H11BG, NCE30H11G, NCE30H12AK