NCE30H10BG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H10BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для NCE30H10BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H10BG даташит

 ..1. Size:637K  ncepower
 nce30h10bg.pdf pdf_icon

NCE30H10BG

http //www.ncepower.com NCE30H10BG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE30H10BG uses advanced trench technology and V =30V,I =100A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It can R

 5.1. Size:681K  ncepower
 nce30h10bk.pdf pdf_icon

NCE30H10BG

http //www.ncepower.com NCE30H10BK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10BK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R

 6.1. Size:331K  ncepower
 nce30h10g.pdf pdf_icon

NCE30H10BG

http //www.ncepower.com NCE30H10G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/

 6.2. Size:373K  ncepower
 nce30h10.pdf pdf_icon

NCE30H10BG

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H10 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE3050I, NCE3050KA, NCE3055, NCE3065G, NCE3065Q, NCE3080I, NCE3080L, NCE3085K, IRF9540, NCE30H10G, NCE30H11BG, NCE30H11G, NCE30H12AK, NCE30H15B, NCE30H15BG, NCE30H15BK, NCE30H33LL